STGW60H65DRF Transistor IGBT

Caixa / Gabinete:    TO-247    
Estilo de montagem:    Through Hole    
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor:    650 V    
Tensão de saturação do coletor - emissor:    1.9 V    
Tensão do emissor do gate máxima:    20 V    
Corrente contínua do coletor a 25ºC:    120 A    
Pd - Dissipação de potência:    360 W    
Série:    STGW60H65DRF    
Embalagem:    Tube    
Marca:    STMicroelectronics    
Corrente de dispersão do gate - emissor:    250 nA    
Tipo de Produto:    IGBT Transistors

DATASHEET