FQPF12N60C
2,00 €
Politica de seguridad
Política de entrega
Fabricante ON SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor N-MOSFET
Tecnología QFET®
Polarización unipolar
Tensión drenaje-fuente 600V
Corriente del drenaje 1.35A
Poder disipado 23W
Carcasa TO220FP
Tensión puerta-fuente ±30V
Resistencia en estado de transferencia 4.7Ω
Montaje THT
Carga de puerta 12nC
716627
Nuevo
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