FQPF12N60C

Fabricante NO SEMICONDUTOR
Transistor tipo N-MOSFET
Tecnologia QFET®
Polarização unipolar
Tensão da fonte de drenagem 600V
Corrente de drenagem 1.35A
Potência Dissipada 23W
Invólucro TO220FP
Tensão porta-fonte ± 30V
Resistência no estado de transferência 4,7Ω
Montagem THT
Porta de carga 12nC
 

DATASHEET