BSS123NH6327XTSA1 - MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

Estilo de montagem: SMD/SMT

Caixa / Gabinete: SOT-23-3

Polaridade do transistor: N-Channel

Número de canais: 1 Channel

Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V

Id - Corrente de drenagem contínua: 190 mA

Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 6 Ohms

Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V

Tensão de limite porta e fonte: 1.4 V

Qg - Carga na porta: 600 pC

Temperatura operacional mínima: - 55 C

Temperatura operacional máxima: + 150 C

Pd - Dissipação de potência: 500 mW

Modo de canal: Enhancement

Qualificação: AEC-Q101

Série: BSS123

Marca: Infineon Technologies

Configuração: Single

Tempo de queda: 22 ns

Transcondutância em avanço - Mín: 410 mS

Altura: 1.1 mm

Comprimento: 2.9 mm

Tipo de Produto: MOSFET

Tempo de ascensão: 3.2 ns

Tipo de transistor: 1 N-Channel

Tempo de retardo de desligamento típico: 7.4 ns

Tempo típico de ativação/retardo : 2.3 ns

Largura: 1.3 mm

DATASHEET