BSS123NH6327XTSA1 - MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

Estilo de montaje: SMD/SMT

Caja/Recinto: SOT-23-3

Polaridad del transistor: canal N

Número de canales: 1 canal

Vds - Tensión de ruptura entre drenaje y fuente: 100 V

Id - Corriente de drenaje continuo: 190 mA

Rds On - Fuente de drenaje en resistencia: 6 ohmios

Vgs - Puerto y voltaje de fuente: - 20 V, + 20 V

Tensión umbral de puerta y fuente: 1,4 V

Qg - Carga del puerto: 600 pC

Temperatura mínima de funcionamiento: - 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento: + 150 C

Pd - Disipación de potencia: 500 mW

Modo de canal: mejora

Calificación: AEC-Q101

Serie: BSS123

Marca: Infineon Technologies

Configuración: Individual

Tiempo de caída: 22 ns

Transconductancia directa - Mín: 410 mS

Altura: 1,1 mm

Longitud: 2,9 mm

Tipo de producto: MOSFET

Tiempo de subida: 3,2 ns

Tipo de transistor: 1 canal N

Tiempo típico de retardo de apagado: 7,4 ns

Tiempo típico de activación/retraso: 2,3 ns

Ancho: 1,3 mm

DATASHEET