FDT86256

Fabricante: onsemi

Estilo de montaje: SMD/SMT

Caja/carcasa: SOT-223-4

Polaridad del transistor: Canal N

Número de canales: 1 canal

Vds - Tensión de ruptura drenador-fuente: 150 V

Id - Corriente de drenador continua: 1,2 A

Rds On - Resistencia drenador-fuente: 695 mOhms

Vgs - Tensión compuerta-fuente: -20 V, +20 V

Tensión umbral compuerta-fuente: 3,5 V

Qg - Carga de compuerta: 1,2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento: -55 °C

Temperatura máxima de funcionamiento: +150 °C

Pd - Disipación de potencia: 2,3 W

Configuración: Individual

Tiempo de caída: 2,6 ns

Transconductancia directa - Mín.: 0,3 s

Altura: 1,8 mm

Longitud: 6,5 mm

Tipo de producto: MOSFET

Tiempo de subida: 1,7 ns

Ancho: 3,5 mm