Amplificador RF monolítico Mini-Circuits ERA-3+ de banda ancha, con frecuencia de funcionamiento DC a 3GHz, ganancia de 16,4dB, figura de ruido 2,9dB y montaje SMD/SMT. Adecuado para aplicaciones RF, CATV, radio, recepción, instrumentación, amplificación de pequeñas señales y proyectos de comunicación.
Politica de seguridad
Política de entrega
El ERA-3+ es un amplificador RF MMIC / monolítico de banda ancha de Mini-Circuits, desarrollado para aplicaciones donde se necesita una etapa de ganancia compacta, estable y con buen rendimiento en radiofrecuencia.
Con rango de funcionamiento de DC a 3GHz, ganancia típica de 16,4dB, figura de ruido de 2,9dB, punto de compresión P1dB de 10,5dBm y OIP3 de 24dBm, este componente es adecuado para aplicaciones de recepción, distribución de señal, CATV, sistemas de comunicación, equipos de prueba, instrumentación RF y proyectos de radioaficionado.
El ERA-3+ utiliza tecnología GaAs InGaP / InGaP HBT y ofrece un comportamiento repetible de lote a lote, siendo una solución práctica para crear etapas amplificadoras RF en placas compactas. El encapsulado Micro-X y el montaje SMD/SMT permiten su integración en circuitos impresos de alta frecuencia.
Este componente requiere una correcta polarización, incluyendo condensadores de bloqueo DC y choque RF / circuito de alimentación adecuado, de acuerdo con la hoja de datos del fabricante.
Características principales
Amplificador RF MMIC / monolítico
Fabricante / marca: Mini-Circuits
Familia / serie: ERA
Referencia: ERA-3+
Categoría: RF Amplifier
Tipo: CATV / RF wideband amplifier
Número de canales: 1 canal
Frecuencia de funcionamiento: DC a 3GHz
Ganancia típica: 16,4dB
Figura de ruido NF: 2,9dB
P1dB / punto de compresión: 10,5dBm
OIP3 / intercepto de 3.er orden: 24dBm
Tensión de funcionamiento del dispositivo: 3,2V
Corriente de funcionamiento: 35mA
Pérdida de retorno de entrada: 18dB
Aislamiento: 24dB
Potencia disipada: 330mW
Tecnología: GaAs InGaP / InGaP HBT
Montaje: SMD / SMT
Encapsulado: Micro-X
Case style: VV105
Terminales: RF IN, RF OUT/DC IN y GND
Temperatura mínima de funcionamiento: -45°C
Temperatura máxima de funcionamiento: +85°C
RoHS: Sí
Componente activo RF
Adecuado para aplicaciones RF de banda ancha y etapas de ganancia compactas
Aplicaciones recomendadas
Circuitos RF de banda ancha
Etapas amplificadoras de pequeñas señales
CATV y distribución de señal
Recepción de radio
Equipos de comunicación
Instrumentación RF
Equipos de prueba y medida
Sistemas wireless y WLAN
Proyectos de radioaficionado
Preamplificadores RF
Conversores, módulos y circuitos de recepción
Aplicaciones donde se necesite ganancia RF compacta hasta 3GHz
Nota importante
Antes de la aplicación, confirmar siempre la frecuencia de trabajo, ganancia necesaria, tensión/corriente de polarización, impedancia, potencia de entrada, disipación térmica, layout de la PCB y compatibilidad con el circuito original. El ERA-3+ es un componente RF SMD y debe utilizarse con buenas prácticas de diseño de alta frecuencia, plano de masa adecuado, condensadores de bloqueo DC y circuito de polarización según lo recomendado por el fabricante. Respetar siempre el pinout, orientación del componente y límites máximos de funcionamiento.
Ficha técnica
Referencias específicas