IRF520N
0,70 €
Política de segurança
Política de entrega
Tipo de transistor: N-MOSFET
Tecnologia: HEXFET®
Polarização: unipolar
Tensão da fonte de drenagem: 100V
Corrente de drenagem: 9,7A
Potência dissipada: 48W
Alojamento: TO220AB
Tensão da fonte porta: ± 20V
Resistência no estado de transferência: 0,2Ω
Montagem: THT
Carga da porta: 16,7nC
716630
Novo
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