IRF520N
0,70 €
Politica de seguridad
Política de entrega
Tipo de transistor: N-MOSFET
Tecnología: HEXFET®
Polarización: unipolar
Tensión drenaje-fuente: 100V
Corriente del drenaje: 9.7A
Poder disipado: 48W
Carcasa: TO220AB
Tensión puerta-fuente: ±20V
Resistencia en estado de transferencia: 0.2Ω
Montaje: THT
Carga de puerta:16.7nC
716630
Nuevo
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