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Par de díodos Schottky de silício para radiofrequência, com pinagem em configuração antiparalela, baixa tensão direta e reduzida capacitância. O BAT15-099 suporta até 4 V e 110 mA, sendo indicado para misturadores, detetores de fase e moduladores em aplicações até 12 GHz.
Política de segurança
Política de entrega
O Infineon BAT15-099, com referência completa BAT15099E6433HTMA1, integra dois díodos Schottky de barreira baixa, eletricamente independentes e dispostos numa pinagem adequada a circuitos antiparalelos.
A baixa tensão direta, a reduzida capacitância e a pequena indutância parasita tornam este componente especialmente adequado para misturadores RF, detetores, moduladores e circuitos de deteção de fase, incluindo aplicações de micro-ondas com frequências até 12 GHz.
Cada díodo suporta uma tensão inversa máxima de 4 V e uma corrente direta máxima de 110 mA. O componente apresenta uma capacitância típica aproximada de 0,29 pF e uma indutância típica de 2 nH.
O chip possui um anel de proteção integrado contra sobretensões, contribuindo para uma maior robustez em circuitos RF sensíveis. É fornecido num encapsulamento normalizado SOT-143 de quatro terminais, adequado para montagem SMD.
Este componente contém dois díodos Schottky independentes, com uma disposição de terminais adequada à utilização em configuração antiparalela. Antes da montagem, consulte o esquema de ligações da ficha técnica e confirme a orientação dos quatro terminais.
O BAT15-099 destina-se a circuitos de radiofrequência. Não deve ser utilizado como díodo retificador de potência ou como substituto de um díodo Schottky convencional sem confirmar as características elétricas.
A tensão inversa máxima é de apenas 4 V e a dissipação máxima é de 100 mW. Estes limites não devem ser ultrapassados.
Ficha informativa
Referências específicas
Produtos Associados