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Díodo Schottky RF Duplo Infineon BAT15-099 SOT-143
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BAT15-099 4 V 110 mA Díodo Schottky RF Duplo Infineon – SOT-143

1,05 €

Par de díodos Schottky de silício para radiofrequência, com pinagem em configuração antiparalela, baixa tensão direta e reduzida capacitância. O BAT15-099 suporta até 4 V e 110 mA, sendo indicado para misturadores, detetores de fase e moduladores em aplicações até 12 GHz.

Quantidade

 

Política de segurança

 

Política de entrega

O Infineon BAT15-099, com referência completa BAT15099E6433HTMA1, integra dois díodos Schottky de barreira baixa, eletricamente independentes e dispostos numa pinagem adequada a circuitos antiparalelos.

A baixa tensão direta, a reduzida capacitância e a pequena indutância parasita tornam este componente especialmente adequado para misturadores RF, detetores, moduladores e circuitos de deteção de fase, incluindo aplicações de micro-ondas com frequências até 12 GHz.

Cada díodo suporta uma tensão inversa máxima de 4 V e uma corrente direta máxima de 110 mA. O componente apresenta uma capacitância típica aproximada de 0,29 pF e uma indutância típica de 2 nH.

O chip possui um anel de proteção integrado contra sobretensões, contribuindo para uma maior robustez em circuitos RF sensíveis. É fornecido num encapsulamento normalizado SOT-143 de quatro terminais, adequado para montagem SMD.

Características principais

  • Fabricante: Infineon Technologies
  • Referência completa: BAT15099E6433HTMA1
  • Designação: BAT15-099
  • Tipo: díodo Schottky RF duplo
  • Número de díodos: 2
  • Configuração: díodos independentes com pinagem antiparalela
  • Material semicondutor: silício
  • Tensão inversa máxima: 4 V
  • Corrente direta máxima: 110 mA
  • Dissipação máxima de potência: 100 mW
  • Tensão direta típica: aproximadamente 0,25 V
  • Tensão direta máxima: até aproximadamente 0,32 V, nas condições especificadas
  • Capacitância típica: aproximadamente 0,29 pF a 0 V/1 MHz
  • Capacitância indicada pela DigiKey: 0,35 pF a 0 V/1 MHz
  • Indutância típica: 2 nH
  • Frequência de aplicação: até 12 GHz
  • Temperatura de funcionamento: −55 °C a +150 °C
  • Temperatura máxima de junção: +150 °C
  • Montagem: SMD
  • Encapsulamento: PG-SOT-143-3D
  • Equivalência do encapsulamento: TO-253-4/TO-253AA
  • Número de terminais: 4
  • Proteção integrada: anel de proteção contra sobretensões
  • Conformidade: RoHS, sem chumbo e sem halogéneos
  • Fornecimento: fita cortada ou bobina

Aplicações recomendadas

  • Misturadores de radiofrequência
  • Misturadores DBS até 12 GHz
  • Detetores e demoduladores RF
  • Detetores de fase
  • Moduladores
  • Detetores de potência e nível de sinal
  • Equipamentos de telecomunicações
  • Equipamentos de rádio e radioamadorismo
  • Instrumentação e medição RF
  • Circuitos de micro-ondas e radar
  • Reparação de módulos RF compatíveis

Nota importante

Este componente contém dois díodos Schottky independentes, com uma disposição de terminais adequada à utilização em configuração antiparalela. Antes da montagem, consulte o esquema de ligações da ficha técnica e confirme a orientação dos quatro terminais.

O BAT15-099 destina-se a circuitos de radiofrequência. Não deve ser utilizado como díodo retificador de potência ou como substituto de um díodo Schottky convencional sem confirmar as características elétricas.

A tensão inversa máxima é de apenas 4 V e a dissipação máxima é de 100 mW. Estes limites não devem ser ultrapassados.

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Ficha informativa

Local do artigo na loja
EL0017

Referências específicas

MPN
BAT15099E6433HTMA1

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