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Díodo Schottky RF Infineon BAT15-02LS 4 V 110 mA
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BAT15-02LS 4 V 110 mA Díodo Schottky RF Infineon – 0201 SMD

0,95 €

Díodo Schottky de silício para radiofrequência, com baixa tensão direta, reduzida capacitância de junção e baixa indutância. O BAT15-02LS suporta até 4 V de tensão inversa e 110 mA, sendo indicado para misturadores e detetores em aplicações RF até 12 GHz.

Quantidade

 

Política de segurança

 

Política de entrega

O Infineon BAT15-02LS, com referência comercial completa BAT1502LSE6433XTMA1, é um díodo Schottky de barreira baixa desenvolvido para circuitos de radiofrequência e micro-ondas.

A sua reduzida tensão direta, capacitância de junção extremamente baixa e pequena indutância parasita permitem a utilização em misturadores, detetores, demoduladores e circuitos de deteção de potência RF, incluindo aplicações com frequências até 12 GHz.

O componente integra um anel de proteção contra sobretensões no próprio chip, contribuindo para uma maior robustez em circuitos RF sensíveis. Apresenta uma capacitância aproximada de apenas 0,23 pF, medida a 0 V e 1 MHz, e uma indutância típica de 0,2 nH.

O BAT15-02LS é fornecido num encapsulamento ultracompacto 0201 (0603 métrico), adequado para montagem SMD em equipamentos onde o espaço ocupado e os elementos parasitas devem ser reduzidos ao mínimo.

Características principais

  • Fabricante: Infineon Technologies
  • Referência completa: BAT1502LSE6433XTMA1
  • Designação do componente: BAT15-02LS
  • Tipo: díodo Schottky RF
  • Configuração: díodo individual
  • Material: silício
  • Tensão inversa máxima: 4 V
  • Corrente direta máxima: 110 mA
  • Dissipação máxima de potência: 100 mW
  • Tensão direta reduzida: aproximadamente 0,25 V típica
  • Capacitância: aproximadamente 0,23 pF a 0 V/1 MHz
  • Indutância típica: 0,2 nH
  • Resistência: aproximadamente 10 Ω a 50 mA/1 MHz
  • Frequência de aplicação: até 12 GHz
  • Temperatura máxima de junção: +150 °C
  • Montagem: SMD
  • Encapsulamento: PG-TSSLP-2-3
  • Dimensão normalizada: 0201/0603 métrico
  • Número de terminais: 2
  • Proteção integrada: anel de proteção contra sobretensões
  • Fornecimento: fita cortada ou bobina

Aplicações recomendadas

  • Misturadores de radiofrequência
  • Detetores e demoduladores RF
  • Detetores de potência e nível de sinal
  • Circuitos de micro-ondas até 12 GHz
  • Equipamentos de telecomunicações
  • Recetores e transmissores de rádio
  • Equipamentos de radioamadorismo
  • Instrumentação e medição RF
  • Circuitos de radar e comunicação sem fios
  • Reparação de módulos RF compatíveis

Nota importante

O BAT15-02LS é um díodo específico para sinais de radiofrequência. Não deve ser confundido com um díodo Schottky de potência ou utilizado como retificador de alimentação.

A tensão inversa máxima é de apenas 4 V e a dissipação máxima é de 100 mW. Estes limites não devem ser ultrapassados.

O encapsulamento 0201 é extremamente pequeno, medindo aproximadamente 0,6 × 0,3 mm. A montagem e substituição exigem equipamento apropriado para microsoldadura SMD, controlo de temperatura e proteção contra descargas eletrostáticas.

Antes da instalação, confirme a polaridade, o footprint da placa e todos os limites elétricos indicados na ficha técnica.

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Ficha informativa

Local do artigo na loja
EL0017

Referências específicas

MPN
BAT1502LSE6433XTMA1

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