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Díodo Schottky de silício para radiofrequência, com baixa tensão direta, reduzida capacitância de junção e baixa indutância. O BAT15-02LS suporta até 4 V de tensão inversa e 110 mA, sendo indicado para misturadores e detetores em aplicações RF até 12 GHz.
Política de segurança
Política de entrega
O Infineon BAT15-02LS, com referência comercial completa BAT1502LSE6433XTMA1, é um díodo Schottky de barreira baixa desenvolvido para circuitos de radiofrequência e micro-ondas.
A sua reduzida tensão direta, capacitância de junção extremamente baixa e pequena indutância parasita permitem a utilização em misturadores, detetores, demoduladores e circuitos de deteção de potência RF, incluindo aplicações com frequências até 12 GHz.
O componente integra um anel de proteção contra sobretensões no próprio chip, contribuindo para uma maior robustez em circuitos RF sensíveis. Apresenta uma capacitância aproximada de apenas 0,23 pF, medida a 0 V e 1 MHz, e uma indutância típica de 0,2 nH.
O BAT15-02LS é fornecido num encapsulamento ultracompacto 0201 (0603 métrico), adequado para montagem SMD em equipamentos onde o espaço ocupado e os elementos parasitas devem ser reduzidos ao mínimo.
O BAT15-02LS é um díodo específico para sinais de radiofrequência. Não deve ser confundido com um díodo Schottky de potência ou utilizado como retificador de alimentação.
A tensão inversa máxima é de apenas 4 V e a dissipação máxima é de 100 mW. Estes limites não devem ser ultrapassados.
O encapsulamento 0201 é extremamente pequeno, medindo aproximadamente 0,6 × 0,3 mm. A montagem e substituição exigem equipamento apropriado para microsoldadura SMD, controlo de temperatura e proteção contra descargas eletrostáticas.
Antes da instalação, confirme a polaridade, o footprint da placa e todos os limites elétricos indicados na ficha técnica.
Ficha informativa
Referências específicas
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