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Diodo Schottky RF Infineon BAT15-02LS 4 V 110 mA
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BAT15-02LS 4 V 110 mA Diodo Schottky RF Infineon – 0201 SMD

0,95 €

Diodo Schottky de silicio para radiofrecuencia, con baja tensión directa, reducida capacitancia de unión y baja inductancia. El BAT15-02LS admite hasta 4 V de tensión inversa y 110 mA, siendo adecuado para mezcladores y detectores en aplicaciones RF de hasta 12 GHz.

Cantidad

 

Politica de seguridad

 

Política de entrega

El Infineon BAT15-02LS, con referencia comercial completa BAT1502LSE6433XTMA1, es un diodo Schottky de barrera baja diseñado para circuitos de radiofrecuencia y microondas.

Su reducida tensión directa, capacitancia de unión extremadamente baja y pequeña inductancia parásita permiten utilizarlo en mezcladores, detectores, demoduladores y circuitos de detección de potencia RF, incluyendo aplicaciones con frecuencias de hasta 12 GHz.

El componente incorpora un anillo de protección contra sobretensiones integrado en el chip, mejorando su robustez en circuitos RF sensibles. Presenta una capacitancia aproximada de solo 0,23 pF, medida a 0 V y 1 MHz, y una inductancia típica de 0,2 nH.

El BAT15-02LS se suministra en un encapsulado ultracompacto 0201 (0603 métrico), apropiado para montaje SMD en equipos donde el espacio y los elementos parásitos deben reducirse al mínimo.

Características principales

  • Fabricante: Infineon Technologies
  • Referencia completa: BAT1502LSE6433XTMA1
  • Designación del componente: BAT15-02LS
  • Tipo: diodo Schottky RF
  • Configuración: diodo individual
  • Material: silicio
  • Tensión inversa máxima: 4 V
  • Corriente directa máxima: 110 mA
  • Disipación máxima de potencia: 100 mW
  • Tensión directa reducida: aproximadamente 0,25 V típica
  • Capacitancia: aproximadamente 0,23 pF a 0 V/1 MHz
  • Inductancia típica: 0,2 nH
  • Resistencia: aproximadamente 10 Ω a 50 mA/1 MHz
  • Frecuencia de aplicación: hasta 12 GHz
  • Temperatura máxima de unión: +150 °C
  • Montaje: SMD
  • Encapsulado: PG-TSSLP-2-3
  • Tamaño normalizado: 0201/0603 métrico
  • Número de terminales: 2
  • Protección integrada: anillo de protección contra sobretensiones
  • Suministro: cinta cortada o bobina

Aplicaciones recomendadas

  • Mezcladores de radiofrecuencia
  • Detectores y demoduladores RF
  • Detectores de potencia y nivel de señal
  • Circuitos de microondas hasta 12 GHz
  • Equipos de telecomunicaciones
  • Receptores y transmisores de radio
  • Equipos de radioafición
  • Instrumentación y medición RF
  • Circuitos de radar y comunicación inalámbrica
  • Reparación de módulos RF compatibles

Nota importante

El BAT15-02LS es un diodo específico para señales de radiofrecuencia. No debe confundirse con un diodo Schottky de potencia ni utilizarse como rectificador de alimentación.

La tensión inversa máxima es de solo 4 V y la disipación máxima es de 100 mW. No deben superarse estos límites.

El encapsulado 0201 es extremadamente pequeño, con unas dimensiones aproximadas de 0,6 × 0,3 mm. Su montaje o sustitución requiere herramientas adecuadas para microsoldadura SMD, control de temperatura y protección frente a descargas electrostáticas.

Antes de instalarlo, compruebe la polaridad, la huella de la placa y todos los límites eléctricos indicados en la ficha técnica.

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Ficha técnica

Local do artigo na loja
EL0017

Referencias específicas

MPN
BAT1502LSE6433XTMA1

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