- Nuevo
Diodo Schottky de silicio para radiofrecuencia, con baja tensión directa, reducida capacitancia de unión y baja inductancia. El BAT15-02LS admite hasta 4 V de tensión inversa y 110 mA, siendo adecuado para mezcladores y detectores en aplicaciones RF de hasta 12 GHz.
Politica de seguridad
Política de entrega
El Infineon BAT15-02LS, con referencia comercial completa BAT1502LSE6433XTMA1, es un diodo Schottky de barrera baja diseñado para circuitos de radiofrecuencia y microondas.
Su reducida tensión directa, capacitancia de unión extremadamente baja y pequeña inductancia parásita permiten utilizarlo en mezcladores, detectores, demoduladores y circuitos de detección de potencia RF, incluyendo aplicaciones con frecuencias de hasta 12 GHz.
El componente incorpora un anillo de protección contra sobretensiones integrado en el chip, mejorando su robustez en circuitos RF sensibles. Presenta una capacitancia aproximada de solo 0,23 pF, medida a 0 V y 1 MHz, y una inductancia típica de 0,2 nH.
El BAT15-02LS se suministra en un encapsulado ultracompacto 0201 (0603 métrico), apropiado para montaje SMD en equipos donde el espacio y los elementos parásitos deben reducirse al mínimo.
El BAT15-02LS es un diodo específico para señales de radiofrecuencia. No debe confundirse con un diodo Schottky de potencia ni utilizarse como rectificador de alimentación.
La tensión inversa máxima es de solo 4 V y la disipación máxima es de 100 mW. No deben superarse estos límites.
El encapsulado 0201 es extremadamente pequeño, con unas dimensiones aproximadas de 0,6 × 0,3 mm. Su montaje o sustitución requiere herramientas adecuadas para microsoldadura SMD, control de temperatura y protección frente a descargas electrostáticas.
Antes de instalarlo, compruebe la polaridad, la huella de la placa y todos los límites eléctricos indicados en la ficha técnica.
Productos asociados