El Infineon BAT15-099, con referencia completa BAT15099E6433HTMA1, integra dos diodos Schottky de barrera baja, eléctricamente independientes y dispuestos con una distribución de terminales apropiada para circuitos antiparalelos.

Su baja tensión directa, reducida capacitancia y pequeña inductancia parásita hacen que resulte especialmente adecuado para mezcladores RF, detectores, moduladores y circuitos de detección de fase, incluyendo aplicaciones de microondas con frecuencias de hasta 12 GHz.

Cada diodo admite una tensión inversa máxima de 4 V y una corriente directa máxima de 110 mA. El componente presenta una capacitancia típica aproximada de 0,29 pF y una inductancia típica de 2 nH.

El chip incorpora un anillo de protección contra sobretensiones, aumentando su robustez en circuitos RF sensibles. Se suministra en un encapsulado normalizado SOT-143 de cuatro terminales, apropiado para montaje superficial.

Características principales

• Fabricante: Infineon Technologies
• Referencia completa: BAT15099E6433HTMA1
• Designación: BAT15-099
• Tipo: diodo Schottky RF doble
• Número de diodos: 2
• Configuración: diodos independientes con terminales antiparalelos
• Material semiconductor: silicio
• Tensión inversa máxima: 4 V
• Corriente directa máxima: 110 mA
• Disipación máxima de potencia: 100 mW
• Tensión directa típica: aproximadamente 0,25 V
• Tensión directa máxima: hasta aproximadamente 0,32 V en las condiciones especificadas
• Capacitancia típica: aproximadamente 0,29 pF a 0 V/1 MHz
• Capacitancia indicada por DigiKey: 0,35 pF a 0 V/1 MHz
• Inductancia típica: 2 nH
• Frecuencia de aplicación: hasta 12 GHz
• Temperatura de funcionamiento: −55 °C a +150 °C
• Temperatura máxima de unión: +150 °C
• Montaje: SMD
• Encapsulado: PG-SOT-143-3D
• Equivalencia del encapsulado: TO-253-4/TO-253AA
• Número de terminales: 4
• Protección integrada: anillo de protección contra sobretensiones
• Conformidad: RoHS, sin plomo y sin halógenos
• Suministro: cinta cortada o bobina

Aplicaciones recomendadas

• Mezcladores de radiofrecuencia
• Mezcladores DBS hasta 12 GHz
• Detectores y demoduladores RF
• Detectores de fase
• Moduladores
• Detectores de potencia y nivel de señal
• Equipos de telecomunicaciones
• Equipos de radio y radioafición
• Instrumentación y medición RF
• Circuitos de microondas y radar
• Reparación de módulos RF compatibles

Nota importante

Este componente contiene dos diodos Schottky independientes, con una distribución de terminales adecuada para su utilización en configuración antiparalela. Antes del montaje, consulte el esquema de conexiones de la ficha técnica y compruebe la orientación de los cuatro terminales.

El BAT15-099 está diseñado para circuitos de radiofrecuencia. No debe utilizarse como rectificador de potencia ni como sustituto de un diodo Schottky convencional sin comprobar previamente sus características eléctricas.

La tensión inversa máxima es de solo 4 V y la disipación máxima es de 100 mW. No deben superarse estos límites.