MMBT3904 - Transistores bipolares de unión (BJT), encapsulado SOT-23, 40 V, 200 mA, NPN

Fabricante: Diotec Semiconductor

Montaje: SMD/SMT

Encapsulado: SOT-23

Polaridad del transistor: NPN

Configuración: Simple

Corriente máxima de colector (CC): 200 mA

Tensión máxima colector-emisor (VCEO): 40 V

Tensión base colector-emisor (VCBO): 60 V

Tensión base emisor-base (VEBO): 6 V

Tensión de saturación colector-emisor: 300 mV

Potencia disipada (Pd): 350 mW

Ancho de banda de ganancia (fT): 300 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento: -55 °C

Temperatura máxima de funcionamiento: +150 °C

Serie: MMBT-BJT

Ganancia máxima de corriente continua (hFE): 300

Nombre comercial: MMBT3904